N-Channel MOSFET, 270 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 onsemi NTS4001NG
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
270 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,9 нКл при 5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.9мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 50 | P.O.A. |
| 100 - 200 | P.O.A. |
| 250 - 450 | P.O.A. |
| 500 - 950 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
270 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,9 нКл при 5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.9мм
Информация о товаре