GaN N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP8G202NG
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Конфигурация транзистора
Каскодная схема
Максимальное напряжение затвор-исток
-18 В, +18 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.53мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,2 нКл при 4,5 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
GaN
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
2.1V
Высота
15.75мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | P.O.A. |
| 2 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 49 | P.O.A. |
| 50+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Конфигурация транзистора
Каскодная схема
Максимальное напряжение затвор-исток
-18 В, +18 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.53мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,2 нКл при 4,5 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
GaN
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
2.1V
Высота
15.75мм
Страна происхождения
Philippines