GaN N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP8G202NG

Код товара RS: 882-9834Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: NTP8G202NG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Конфигурация транзистора

Каскодная схема

Максимальное напряжение затвор-исток

-18 В, +18 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.53мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,2 нКл при 4,5 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

GaN

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.1V

Высота

15.75мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 10 222,89

Each (ex VAT)

GaN N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP8G202NG

1

Доступно в кратности 1
1тг 10 222,89
2тг 16 360,20
3тг 24 540,30
4тг 32 720,40
5тг 32 988,60
6тг 39 586,32
7тг 46 184,04
8тг 52 781,76
9тг 59 379,48
10тг 58 422,90
11тг 64 265,19
12тг 70 107,48
13тг 75 949,77
14тг 81 792,06
15тг 87 634,35

тг 10 222,89

Each (ex VAT)

GaN N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP8G202NG
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1тг 10 222,89
2тг 16 360,20
3тг 24 540,30
4тг 32 720,40
5тг 32 988,60
6тг 39 586,32
7тг 46 184,04
8тг 52 781,76
9тг 59 379,48
10тг 58 422,90
11тг 64 265,19
12тг 70 107,48
13тг 75 949,77
14тг 81 792,06
15тг 87 634,35

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 1тг 10 222,89
2 - 4тг 8 180,10
5 - 9тг 6 597,72
10 - 49тг 5 842,29
50+тг 5 453,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Конфигурация транзистора

Каскодная схема

Максимальное напряжение затвор-исток

-18 В, +18 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.53мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,2 нКл при 4,5 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

GaN

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.1V

Высота

15.75мм

Страна происхождения

Philippines