N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3 + Tab-Pin TO-220 onsemi NTP082N65S3F

Код товара RS: 172-8976Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: NTP082N65S3F
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

82 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

313 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

4.7мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

81 нКл при 10 В

Высота

16.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3 + Tab-Pin TO-220 onsemi NTP082N65S3F
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3 + Tab-Pin TO-220 onsemi NTP082N65S3F
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

82 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

313 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

4.7мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

81 нКл при 10 В

Высота

16.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V