ON Semiconductor NTMFS4898NFT1G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
37 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SO-8FL
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,72 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
24,5 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.1мм
Ширина
6.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 8 | P.O.A. |
| 10 - 18 | P.O.A. |
| 20 - 48 | P.O.A. |
| 50 - 98 | P.O.A. |
| 100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
37 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SO-8FL
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,72 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
24,5 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.1мм
Ширина
6.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм