ON Semiconductor NTMD6N02R2G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
49 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 25 | P.O.A. |
| 50 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 475 | P.O.A. |
| 500 - 975 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
49 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C