Dual N/P-Channel MOSFET, 1.1 A, 910 mA, 8 V, 20 V, 6-Pin SOT-363 ON Semiconductor NTJD4105CT1G
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
1,1 А, 910 мА
Максимальное напряжение сток-исток
8 В, 20 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
445 мΩ, 900 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
550 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, -8 В, +12 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,3 нКл при 4,5 В, 2,2 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 25 | P.O.A. |
| 50 - 100 | P.O.A. |
| 125 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 475 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
1,1 А, 910 мА
Максимальное напряжение сток-исток
8 В, 20 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
445 мΩ, 900 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
550 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, -8 В, +12 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,3 нКл при 4,5 В, 2,2 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.