N-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 6-Pin TSOP onsemi NTGS4141NG
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.7мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 25 | P.O.A. |
| 50 - 100 | P.O.A. |
| 125 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 475 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.7мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре