ON Semiconductor NTD5865N-1G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
IPAK
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
18 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 5 | P.O.A. |
| 10 - 15 | P.O.A. |
| 20 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 95 | P.O.A. |
| 100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
IPAK
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
18 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм