N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB6412ANG
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
58 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
18,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
167 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
13,5 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.29мм
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 18 | P.O.A. |
| 20 - 48 | P.O.A. |
| 50 - 98 | P.O.A. |
| 100 - 198 | P.O.A. |
| 200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
58 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
18,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
167 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
13,5 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.29мм
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм