Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное напряжение сток-исток
59 В
Серия
AEC-Q101
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1.21 O
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Количество элементов на ИС
2
Материал транзистора
Пластмасса
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Dual Plastic N-Channel MOSFET Transistor, 35 A, 59 V, 4-Pin DPAK onsemi NID9N05BCLT4G
2500
P.O.A.
Dual Plastic N-Channel MOSFET Transistor, 35 A, 59 V, 4-Pin DPAK onsemi NID9N05BCLT4G
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное напряжение сток-исток
59 В
Серия
AEC-Q101
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1.21 O
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Количество элементов на ИС
2
Материал транзистора
Пластмасса