N-Channel MOSFET, 7.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP onsemi NDF08N60ZG
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
950 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
139 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Длина
10.63мм
Ширина
4.9мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
16.12мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 18 | P.O.A. |
| 20 - 48 | P.O.A. |
| 50 - 98 | P.O.A. |
| 100 - 198 | P.O.A. |
| 200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
950 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
139 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Длина
10.63мм
Ширина
4.9мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
16.12мм