Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
58 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
7.62мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 45 | P.O.A. |
50 - 120 | P.O.A. |
125 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
58 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
7.62мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C