N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK onsemi NDD02N60Z-1G
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
57 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
7.62мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 120 | P.O.A. |
| 125 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 495 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
57 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
7.62мм
Информация о товаре