ON Semiconductor N25S830HAT22I Чип памяти SRAM
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorОбъем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Количество слов
32K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
25нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
20МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Синхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
TSSOP
Число контактов
8
Размеры
4.5 x 3.1 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.05мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
4.5мм
Ширина
3.1мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Static RAM, ON Semiconductor
Serial Static Random-Access Memory (SRAM).
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 8 | P.O.A. |
| 10 - 38 | P.O.A. |
| 40 - 98 | P.O.A. |
| 100 - 198 | P.O.A. |
| 200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorОбъем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Количество слов
32K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
25нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
20МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Синхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
TSSOP
Число контактов
8
Размеры
4.5 x 3.1 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.05мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
4.5мм
Ширина
3.1мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Static RAM, ON Semiconductor
Serial Static Random-Access Memory (SRAM).