ON Semiconductor MMBFJ175 MOSFET

Код товара RS: 184-0998Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: MMBFJ175
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

P

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

125 Ω

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

30 В

Ширина

1.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBFJ175 MOSFET

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MMBFJ175 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

P

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

125 Ω

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

30 В

Ширина

1.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines