N-Channel MOSFET, 21 A, 200 V, 3-Pin D2PAK onsemi FQB19N20LTM

Код товара RS: 671-0876Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FQB19N20LTM
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,13 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 2 592,60

тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 21 A, 200 V, 3-Pin D2PAK onsemi FQB19N20LTM
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 592,60
10тг 5 185,20
15тг 7 777,80
20тг 10 370,40
25тг 9 945,75
30тг 11 934,90
35тг 13 924,05
40тг 15 913,20
45тг 17 902,35
50тг 19 891,50
55тг 21 880,65
60тг 23 869,80
65тг 25 858,95
70тг 27 848,10
75тг 29 837,25

тг 2 592,60

тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 21 A, 200 V, 3-Pin D2PAK onsemi FQB19N20LTM

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 592,60
10тг 5 185,20
15тг 7 777,80
20тг 10 370,40
25тг 9 945,75
30тг 11 934,90
35тг 13 924,05
40тг 15 913,20
45тг 17 902,35
50тг 19 891,50
55тг 21 880,65
60тг 23 869,80
65тг 25 858,95
70тг 27 848,10
75тг 29 837,25

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 518,52тг 2 592,60
25 - 95тг 397,83тг 1 989,15
100 - 245тг 326,31тг 1 631,55
250 - 495тг 317,37тг 1 586,85
500+тг 290,55тг 1 452,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,13 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.