ON Semiconductor FFSP1265A MOSFET

Код товара RS: 172-3396Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FFSP1265A
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220-2L

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

2 + Tab

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Ширина

4.8мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.4V

P.O.A.

ON Semiconductor FFSP1265A MOSFET

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FFSP1265A MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220-2L

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

2 + Tab

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Ширина

4.8мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.4V