SiC SiC Power Module, 2 + Tab-Pin TO-220 onsemi FFSP0665A

Код товара RS: 172-8991Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FFSP0665A
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

2 + Tab

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

10.67мм

Ширина

4.8мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.4V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC SiC Power Module, 2 + Tab-Pin TO-220 onsemi FFSP0665A
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

SiC SiC Power Module, 2 + Tab-Pin TO-220 onsemi FFSP0665A
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

2 + Tab

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

10.67мм

Ширина

4.8мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.4V