Dual N-Channel MOSFET, 151 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86180

Код товара RS: 146-4098Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FDMS86180
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

151 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

138 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

60 при 10 В нКл

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

6мм

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

1.05мм

Серия

PowerTrench

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 151 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86180
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 151 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86180
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

151 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

138 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

60 при 10 В нКл

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

6мм

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

1.05мм

Серия

PowerTrench

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor