Dual N-Channel MOSFET, 211 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D4N03

Код товара RS: 146-4094Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FDMS1D4N03S
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

211 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1.09 mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

74 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±16 В

Ширина

5.85мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

102 нКл при 10 В

Высота

1.05мм

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 211 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D4N03
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 211 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D4N03
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

211 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1.09 mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

74 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±16 В

Ширина

5.85мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

102 нКл при 10 В

Высота

1.05мм

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor