ON Semiconductor FDMS1D4N03S MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

211 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1.09 mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

74 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±16 В

Ширина

5.85мм

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

102 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V