P-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin Power 33 onsemi FDMC86261P

Код товара RS: 864-8225Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FDMC86261P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

Power 33

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

269 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

3.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.3мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.725мм

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 2 279,70

тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin Power 33 onsemi FDMC86261P
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 279,70
10тг 4 559,40
15тг 6 839,10
20тг 9 118,80
25тг 9 498,75
30тг 11 398,50
35тг 13 298,25
40тг 15 198,00
45тг 17 097,75
50тг 18 997,50
55тг 20 897,25
60тг 22 797,00
65тг 24 696,75
70тг 26 596,50
75тг 28 496,25

тг 2 279,70

тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin Power 33 onsemi FDMC86261P

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 279,70
10тг 4 559,40
15тг 6 839,10
20тг 9 118,80
25тг 9 498,75
30тг 11 398,50
35тг 13 298,25
40тг 15 198,00
45тг 17 097,75
50тг 18 997,50
55тг 20 897,25
60тг 22 797,00
65тг 24 696,75
70тг 26 596,50
75тг 28 496,25

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 455,94тг 2 279,70
25 - 245тг 379,95тг 1 899,75
250 - 995тг 348,66тг 1 743,30
1000 - 2995тг 317,37тг 1 586,85
3000+тг 286,08тг 1 430,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

Power 33

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

269 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

3.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.3мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.725мм

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.