N-Channel MOSFET, 169 A, 150 V, 8-Pin PSOF onsemi FDBL86210-F085

Код товара RS: 864-8007Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FDBL86210-F085
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

169 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

PSOF

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.48мм

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Ширина

9.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.4мм

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 169 A, 150 V, 8-Pin PSOF onsemi FDBL86210-F085
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 169 A, 150 V, 8-Pin PSOF onsemi FDBL86210-F085
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9P.O.A.
10 - 99P.O.A.
100 - 499P.O.A.
500 - 1999P.O.A.
2000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

169 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

PSOF

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.48мм

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Ширина

9.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.4мм

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.