ON Semiconductor FCU850N80Z MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

IPAK

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В пост. тока, ±30 В перем. тока

Ширина

2.5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Высота

7.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China