Dual N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V, 3-Pin TO220F onsemi FCPF165N65S3

Код товара RS: 146-4114Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FCPF165N65S3L1
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

19 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В перем./пост. тока

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Высота

15.7мм

Серия

SUPERFET III

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V, 3-Pin TO220F onsemi FCPF165N65S3
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V, 3-Pin TO220F onsemi FCPF165N65S3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

19 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В перем./пост. тока

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Высота

15.7мм

Серия

SUPERFET III

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor