ON Semiconductor FCPF165N65S3L1 MOSFET

Код товара RS: 146-3369Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCPF165N65S3L1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

19 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO220F

Серия

SUPERFET III

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В перем./пост. тока

Ширина

4.6мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 10 В

Высота

15.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FCPF165N65S3L1 MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor FCPF165N65S3L1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

19 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO220F

Серия

SUPERFET III

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В перем./пост. тока

Ширина

4.6мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 10 В

Высота

15.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor