Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
ECH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.3мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Высота
0.9мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
ECH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.3мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Высота
0.9мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре