ON Semiconductor ECH8656-TL-H MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
ECH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
48 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10,8 нКл при 4,5 В
Ширина
2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.9мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
15
P.O.A.
15
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 15 - 15 | P.O.A. |
| 30 - 135 | P.O.A. |
| 150 - 435 | P.O.A. |
| 450 - 885 | P.O.A. |
| 900+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
ECH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
48 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10,8 нКл при 4,5 В
Ширина
2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.9мм