N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123

Код товара RS: 671-0321Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BSS123
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.93мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
10 - 40P.O.A.
50 - 90P.O.A.
100 - 240P.O.A.
250 - 490P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.93мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.