ON Semiconductor 3LP01C-TB-E MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
CP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
54 Ом
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,43 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
CP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
54 Ом
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,43 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре