ON Semiconductor 3LN01C-TB-H MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

150 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

12,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Ширина

1.5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,58 нКл при 10 В

Высота

1.1мм

PRICED TO CLEAR

Yes

Страна происхождения

China