ON Semiconductor 2N7002WT1G МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 790-5242PБренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: 2N7002WT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

340 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,7 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.9мм

Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1GБренд: onsemi
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

ON Semiconductor 2N7002WT1G МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

ON Semiconductor 2N7002WT1G МОП-транзистор (MOSFET)

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1GБренд: onsemi
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

340 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,7 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.9мм

Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1GБренд: onsemi
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)