Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
89 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
10,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
117 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 616,86
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 616,86
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
89 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
10,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
117 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре