N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 Nexperia PSMN7R0-60YS,115

Код товара RS: 798-3028Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PSMN7R0-60YS,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

89 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

10,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

117 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Ширина

4.1мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 616,86

Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 Nexperia PSMN7R0-60YS,115
Select packaging type

тг 616,86

Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 Nexperia PSMN7R0-60YS,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

89 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

10,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

117 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Ширина

4.1мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors