Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
306 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
16мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
2
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
306 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
16мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре