Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
3,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
131 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
63 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
тг 2 436,15
тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 436,15
тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 45 | тг 487,23 | тг 2 436,15 |
50 - 245 | тг 433,59 | тг 2 167,95 |
250 - 495 | тг 335,25 | тг 1 676,25 |
500 - 1495 | тг 303,96 | тг 1 519,80 |
1500+ | тг 299,49 | тг 1 497,45 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
3,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
131 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
63 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре