Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN2R6-40YS,115

Код товара RS: 798-2937Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PSMN2R6-40YS,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

131 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

63 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 55V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 436,15

тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN2R6-40YS,115
Select packaging type

тг 2 436,15

тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN2R6-40YS,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 487,23тг 2 436,15
50 - 245тг 433,59тг 2 167,95
250 - 495тг 335,25тг 1 676,25
500 - 1495тг 303,96тг 1 519,80
1500+тг 299,49тг 1 497,45

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

131 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

63 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 55V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors