Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115

Код товара RS: 798-2906Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PSMN1R2-30YLC
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1,65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.95V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.05V

Максимальное рассеяние мощности

215 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.1мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 972,55

тг 594,51 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115
Select packaging type

тг 2 972,55

тг 594,51 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 594,51тг 2 972,55
50 - 245тг 518,52тг 2 592,60
250 - 495тг 379,95тг 1 899,75
500 - 1495тг 344,19тг 1 720,95
1500+тг 339,72тг 1 698,60

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1,65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.95V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.05V

Максимальное рассеяние мощности

215 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.1мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors