Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
72 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
56 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12,5 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
72 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
56 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12,5 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
