Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
25 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Типичный заряд затвора при Vgs
61 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
2
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
25 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Типичный заряд затвора при Vgs
61 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
