N-Channel MOSFET, 47 A, 100 V, 3-Pin DPAK Nexperia PSMN025-100D,118

Код товара RS: 725-8451PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: PSMN025-100D,118
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

25 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Типичный заряд затвора при Vgs

61 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 47 A, 100 V, 3-Pin DPAK Nexperia PSMN025-100D,118
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 47 A, 100 V, 3-Pin DPAK Nexperia PSMN025-100D,118

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

25 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Типичный заряд затвора при Vgs

61 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors