P-Channel MOSFET, 680 mA, 20 V, 3-Pin SOT-883B Nexperia PMZB670UPE,315

Код товара RS: 798-2817Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PMZB670UPE,315
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

680 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-883B

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,76 нКл при 4,5 В

Ширина

0.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.36мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

тг 1 452,75

тг 58,11 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 680 mA, 20 V, 3-Pin SOT-883B Nexperia PMZB670UPE,315
Select packaging type

тг 1 452,75

тг 58,11 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 680 mA, 20 V, 3-Pin SOT-883B Nexperia PMZB670UPE,315

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
25 - 25тг 58,11тг 1 452,75
50 - 475тг 53,64тг 1 341,00
500 - 2475тг 40,23тг 1 005,75
2500 - 9975тг 35,76тг 894,00
10000+тг 31,29тг 782,25

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

680 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-883B

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,76 нКл при 4,5 В

Ширина

0.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.36мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors