Nexperia PMV65XP,215 MOSFET

Код товара RS: 134-295PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: PMV65XP,215
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,9 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

76 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.47V

Максимальное рассеяние мощности

1,92 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia PMV65XP,215 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia PMV65XP,215 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,9 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

76 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.47V

Максимальное рассеяние мощности

1,92 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors