Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Nexperia P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV48XP,215

Код товара RS: 798-2801PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: PMV48XP,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.25V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.75V

Максимальное рассеяние мощности

415 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,5 нКл при 4,5 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV48XP,215
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV48XP,215
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.25V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.75V

Максимальное рассеяние мощности

415 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,5 нКл при 4,5 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors