Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 PMV213SN,215

Код товара RS: 725-8326Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PMV213SN,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 10 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 682,00

тг 134,10 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 PMV213SN,215
Select packaging type

тг 2 682,00

тг 134,10 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 PMV213SN,215
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 134,10тг 2 682,00
100 - 180тг 102,81тг 2 056,20
200 - 380тг 98,34тг 1 966,80
400 - 980тг 98,34тг 1 966,80
1000+тг 80,46тг 1 609,20

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 10 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors