Nexperia N-Channel MOSFET, 870 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 PMF370XN,115

Код товара RS: 725-8382Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PMF370XN,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

870 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

440 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.5V

Максимальное рассеяние мощности

560 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

0,65 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать
Vishay SI1304BDL-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

тг 1 162,20

тг 58,11 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 870 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 PMF370XN,115
Select packaging type

тг 1 162,20

тг 58,11 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 870 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 PMF370XN,115

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 58,11тг 1 162,20
100 - 180тг 44,70тг 894,00
200 - 380тг 44,70тг 894,00
400 - 980тг 40,23тг 804,60
1000+тг 35,76тг 715,20
Вас может заинтересовать
Vishay SI1304BDL-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

870 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

440 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.5V

Максимальное рассеяние мощности

560 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

0,65 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать
Vishay SI1304BDL-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 20) (ex VAT)