Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.15V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
1,67 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,6 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.15V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
1,67 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,6 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре