Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА, 350 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
NX3008CBKS
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω, 4,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
990 мВт
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
1.35мм
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,52 нКл при 4,5 В, 0,55 нКл при -4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА, 350 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
NX3008CBKS
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω, 4,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
990 мВт
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
1.35мм
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,52 нКл при 4,5 В, 0,55 нКл при -4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
