Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX1029X,115

Код товара RS: 816-0563Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: NX1029X,115
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА, 330 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В, 60 В

Тип корпуса

SOT-666

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

3,6 Ом, 13,5 Ом

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,26 нКл при 5 В, 0,5 нКл при 4,5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.6мм

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX1029X,115
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX1029X,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 50P.O.A.
100 - 200P.O.A.
250 - 950P.O.A.
1000 - 3950P.O.A.
4000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА, 330 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В, 60 В

Тип корпуса

SOT-666

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

3,6 Ом, 13,5 Ом

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,26 нКл при 5 В, 0,5 нКл при 4,5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.6мм

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors