Nexperia BST82,215 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
190 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
830 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
тг 223,50
тг 44,70 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 223,50
тг 44,70 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 5 | тг 44,70 | тг 223,50 |
| 10 - 15 | тг 44,70 | тг 223,50 |
| 20 - 45 | тг 44,70 | тг 223,50 |
| 50 - 95 | тг 35,76 | тг 178,80 |
| 100+ | тг 31,29 | тг 156,45 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
190 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
830 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре