P-Channel MOSFET, 180 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS84AK,215
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
180 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,26 нКл при 5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 100 - 200 | P.O.A. |
| 300 - 400 | P.O.A. |
| 500 - 900 | P.O.A. |
| 1000 - 2900 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
180 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,26 нКл при 5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре