P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS84,215
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 140 | P.O.A. |
| 150 - 240 | P.O.A. |
| 250 - 990 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре