Nexperia BSS138PS,115 MOSFET

Код товара RS: 792-0901PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSS138PS,115
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

320 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

320 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,72 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia BSS138PS,115 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 40.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 40.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

40

Доступно в кратности 40
40P.O.A.
80P.O.A.
120P.O.A.
160P.O.A.
200P.O.A.
240P.O.A.
280P.O.A.
320P.O.A.
360P.O.A.
400P.O.A.
440P.O.A.
480P.O.A.
520P.O.A.
560P.O.A.
600P.O.A.

P.O.A.

Nexperia BSS138PS,115 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 40.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 40.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

40

Доступно в кратности 40
40P.O.A.
80P.O.A.
120P.O.A.
160P.O.A.
200P.O.A.
240P.O.A.
280P.O.A.
320P.O.A.
360P.O.A.
400P.O.A.
440P.O.A.
480P.O.A.
520P.O.A.
560P.O.A.
600P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

320 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

320 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,72 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors